Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5, страницы 599–602 (Mi phts7281)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Спектрометрия ионного рассеяния и комбинационное рассеяние света в монокристаллах GaS, подвергнутых облучению водородом с энергией 140 кэВ

А. А. Гарибовa, Р. С. Мадатовab, Ф. Ф. Комаровc, В. В. Пилькоc, Ю. М. Мустафаевa, Ф. И. Ахмедовa, М. М. Джахангировa

a Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Az-1143 Баку, Азербайджан
b Национальная авиационная академия Азербайджана, Az-1045, Баку, Азербайджан
c ИТЦК "Нанотехнологий и физической электроники" Белорусский государственный университет, 220050 Минск, Белоруссия
PDF полного текста (294 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Методами комбинационного рассеяния света и резерфордовского обратного рассеяния исследована степень структурного беспорядка слоистых кристаллов GaS до и после имплантации водородом (H$^+_2$) с энергией 140 кэВ. Показано, что распределение компонентов кристалла по глубине однородно и до доз 5 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-2}$ стехиометрический состав компонентов соединения соблюдается. Экспериментальное значение критической дозы начала аморфизации составляет около 5 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-2}$ и находится в соответствии с вычисленным значением. Результаты, полученные методом комбинационного рассеяния света, подтверждают сохранение кристалличности структуры и начала процесса аморфизации.
Поступила в редакцию: 30.06.2014
Принята в печать: 20.10.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 5, Pages 586–589
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615050073
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Гарибов, Р. С. Мадатов, Ф. Ф. Комаров, В. В. Пилько, Ю. М. Мустафаев, Ф. И. Ахмедов, М. М. Джахангиров, “Спектрометрия ионного рассеяния и комбинационное рассеяние света в монокристаллах GaS, подвергнутых облучению водородом с энергией 140 кэВ”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 599–602; Semiconductors, 49:5 (2015), 586–589
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GarMadKom15}
\by А.~А.~Гарибов, Р.~С.~Мадатов, Ф.~Ф.~Комаров, В.~В.~Пилько, Ю.~М.~Мустафаев, Ф.~И.~Ахмедов, М.~М.~Джахангиров
\paper Спектрометрия ионного рассеяния и комбинационное рассеяние света в монокристаллах GaS, подвергнутых облучению водородом с энергией 140 кэВ
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 599--602
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7281}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195164}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 586--589
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615050073}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7281
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i5/p599
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025