Светоиндуцированная релаксация метастабильной проводимости нелегированных пленок $a$-Si : H, освещенных при повышенных температурах

Исследована кинетика релаксации светоиндуцированной при температуре выше 140$^\circ$C метастабильной темновой проводимости нелегированных пленок $a$-Si : H. Измерения проводились в темноте и при подсветке разной интенсивности. Рассчитанные временные зависимости скорости релаксации темновой проводимости были проанализированы в предположении независимости от освещения термических скоростей генерации и релаксации метастабильных дефектов, образованных предварительной подсветкой. Показано, что особенности кинетики скоростей релаксации при подсветке определяются наличием светоиндуцированных процессов релаксации и генерации медленных метастабильных дефектов, энергетические уровни которых расположены в верхней половине запрещенной зоны.