Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5, страницы 612–616 (Mi phts7284)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов $n$-ITO/$p$-GaTe

В. Н. Катеринчук, З. Р. Кудринский, З. Д. Ковалюк

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины (Черновицкое отделение), 58001 Черновцы, Украина
PDF полного текста (158 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Исследованы фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-ITO/$p$-GaTe, изготовленных путем пульверизации спиртового раствора хлорида индия на нагретые подложки GaTe. Результаты исследований температурных зависимостей вольт-амперных характеристик полученных гетеропереходов позволили определить механизмы токопрохождения через барьер. Построены энергетические зонные диаграммы гетероперехода. Установлено, что гетеропереход $n$-ITO/$p$-GaTe обладает фоточувствительностью в диапазоне 0.35–0.73 мкм.
Поступила в редакцию: 12.08.2014
Принята в печать: 04.09.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 5, Pages 600–603
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615050085
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Н. Катеринчук, З. Р. Кудринский, З. Д. Ковалюк, “Фотоэлектрические свойства гетеропереходов $n$-ITO/$p$-GaTe”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 612–616; Semiconductors, 49:5 (2015), 600–603
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KatKudKov15}
\by В.~Н.~Катеринчук, З.~Р.~Кудринский, З.~Д.~Ковалюк
\paper Фотоэлектрические свойства гетеропереходов $n$-ITO/$p$-GaTe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 612--616
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7284}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195167}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 600--603
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615050085}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7284
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i5/p612
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025