|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5, страницы 617–627
(Mi phts7285)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Влияние непараболичности энергетического спектра электронов и легких дырок на оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs$_{0.86}$Sb$_{0.14}$/AlSb
Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследованы оптические характеристики гетероструктур с глубокими квантовыми ямами на примере структуры состава AlSb/InAs$_{0.86}$Sb$_{0.14}$/AlSb с учетом непараболичности энергетического спектра носителей заряда в рамках четырехзонной модели Кейна. Показано, что учет непараболичности приводит к увеличению количества уровней размерного квантования в зоне проводимости. При ширине квантовой ямы 100 $\mathring{\mathrm{A}}$ в исследуемой гетероструктуре имеются 3 уровня размерного квантования в рамках параболической модели и 6 уровней в рамках четырехзонной модели Кейна. Причина этого заключается в том, что высокоэнергетичные электроны оказываются в несколько раз тяжелее, чем электроны на дне зоны проводимости. Также показано, что учет эффекта непараболичности слабо влияет на интеграл перекрытия между $s$- и $p$-состояниями, однако приводит к значительному увеличению плотности состояний в зоне проводимости, что становится причиной существенного роста коэффициента поглощения излучения.
Поступила в редакцию: 15.09.2014 Принята в печать: 23.09.2014
Образец цитирования:
Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря, “Влияние непараболичности энергетического спектра электронов и легких дырок на оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs$_{0.86}$Sb$_{0.14}$/AlSb”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 617–627; Semiconductors, 49:5 (2015), 604–614
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7285 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i5/p617
|
|