Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5, страницы 617–627 (Mi phts7285)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние непараболичности энергетического спектра электронов и легких дырок на оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs$_{0.86}$Sb$_{0.14}$/AlSb

Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Исследованы оптические характеристики гетероструктур с глубокими квантовыми ямами на примере структуры состава AlSb/InAs$_{0.86}$Sb$_{0.14}$/AlSb с учетом непараболичности энергетического спектра носителей заряда в рамках четырехзонной модели Кейна. Показано, что учет непараболичности приводит к увеличению количества уровней размерного квантования в зоне проводимости. При ширине квантовой ямы 100 $\mathring{\mathrm{A}}$ в исследуемой гетероструктуре имеются 3 уровня размерного квантования в рамках параболической модели и 6 уровней в рамках четырехзонной модели Кейна. Причина этого заключается в том, что высокоэнергетичные электроны оказываются в несколько раз тяжелее, чем электроны на дне зоны проводимости. Также показано, что учет эффекта непараболичности слабо влияет на интеграл перекрытия между $s$- и $p$-состояниями, однако приводит к значительному увеличению плотности состояний в зоне проводимости, что становится причиной существенного роста коэффициента поглощения излучения.
Поступила в редакцию: 15.09.2014
Принята в печать: 23.09.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 5, Pages 604–614
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261505019X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря, “Влияние непараболичности энергетического спектра электронов и легких дырок на оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs$_{0.86}$Sb$_{0.14}$/AlSb”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 617–627; Semiconductors, 49:5 (2015), 604–614
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PavZeg15}
\by Н.~В.~Павлов, Г.~Г.~Зегря
\paper Влияние непараболичности энергетического спектра электронов и легких дырок на оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs$_{0.86}$Sb$_{0.14}$/AlSb
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 617--627
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7285}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195168}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 604--614
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261505019X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7285
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i5/p617
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025