Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5, страницы 638–643 (Mi phts7288)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Особенности одноосной упругой деформации кристаллов $p$-Si, облученных рентгеновскими лучами

Б. В. Павлык, Р. М. Лыс, Р. И. Дидык, И. А. Шикоряк

Львовский национальный университет им. И. Франко
PDF полного текста (215 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: Исследовались изменения электропроводности облученных при комнатной температуре монокристаллических образцов $p$-Si в процессе их сжатия и снятия механической нагрузки. Установлено, что облучение сопровождается генерацией точечных дефектов в кремнии, которые играют роль стопоров для движения дислокаций. Обнаружен эффект “радиационной памяти” в кристаллах “электронного” кремния.
Поступила в редакцию: 13.05.2014
Принята в печать: 20.10.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 5, Pages 625–629
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615050206
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Б. В. Павлык, Р. М. Лыс, Р. И. Дидык, И. А. Шикоряк, “Особенности одноосной упругой деформации кристаллов $p$-Si, облученных рентгеновскими лучами”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 638–643; Semiconductors, 49:5 (2015), 625–629
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PavLysDid15}
\by Б.~В.~Павлык, Р.~М.~Лыс, Р.~И.~Дидык, И.~А.~Шикоряк
\paper Особенности одноосной упругой деформации кристаллов $p$-Si, облученных рентгеновскими лучами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 638--643
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7288}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195171}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 625--629
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615050206}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7288
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i5/p638
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025