|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5, страницы 644–647
(Mi phts7289)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Ионная имплантация Er в поликристаллический теллурид кадмия
В. В. Ушаков, Ю. В. Клевков, В. А. Дравин Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация:
Исследованы особенности ионной имплантации поликристаллического теллурида кадмия с размерами зерен 20–1000 мкм. Выбор Er для имплантации связан с возможностью использования редких земель в качестве люминесцентных “зондов” при изучении примесно-дефектного состава материалов и его изменении при различных технологических обработках. По данным микрофотолюминесценции обнаружено, что по мере уменьшения размеров кристаллических зерен значительно увеличивается радиационная “стойкость” материала. Микрофотолюминесцентная топография образцов показала эффективность люминесцентного редкоземельного “зонда” для выявления в образцах областей с повышенной концентрацией примесей и дефектов, в том числе мезеренных границ.
Поступила в редакцию: 07.10.2014 Принята в печать: 20.10.2014
Образец цитирования:
В. В. Ушаков, Ю. В. Клевков, В. А. Дравин, “Ионная имплантация Er в поликристаллический теллурид кадмия”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 644–647; Semiconductors, 49:5 (2015), 630–633
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7289 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i5/p644
|
|