Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5, страницы 644–647 (Mi phts7289)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Ионная имплантация Er в поликристаллический теллурид кадмия

В. В. Ушаков, Ю. В. Клевков, В. А. Дравин

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация: Исследованы особенности ионной имплантации поликристаллического теллурида кадмия с размерами зерен 20–1000 мкм. Выбор Er для имплантации связан с возможностью использования редких земель в качестве люминесцентных “зондов” при изучении примесно-дефектного состава материалов и его изменении при различных технологических обработках. По данным микрофотолюминесценции обнаружено, что по мере уменьшения размеров кристаллических зерен значительно увеличивается радиационная “стойкость” материала. Микрофотолюминесцентная топография образцов показала эффективность люминесцентного редкоземельного “зонда” для выявления в образцах областей с повышенной концентрацией примесей и дефектов, в том числе мезеренных границ.
Поступила в редакцию: 07.10.2014
Принята в печать: 20.10.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 5, Pages 630–633
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615050267
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Ушаков, Ю. В. Клевков, В. А. Дравин, “Ионная имплантация Er в поликристаллический теллурид кадмия”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 644–647; Semiconductors, 49:5 (2015), 630–633
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UshKleDra15}
\by В.~В.~Ушаков, Ю.~В.~Клевков, В.~А.~Дравин
\paper Ионная имплантация Er в поликристаллический теллурид кадмия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 644--647
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7289}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195172}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 630--633
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615050267}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7289
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i5/p644
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025