Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5, страницы 648–651 (Mi phts7290)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Геометризация динамической структуры переходного фотоотклика халькогенидов цинка

В. П. Мигаль, А. В. Бут, А. С. Фомин, И. А. Клименко

Национальный аэрокосмический университет им. Н. Е. Жуковского "Харьковский авиационный институт", 61070 Харьков, Украина
PDF полного текста (461 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: Представлен геометрический подход к выявлению характеристических признаков фотоотклика полупроводниковых сенсорных материалов. На примере кристаллов халькогенидов цинка показано, что при преобразовании их переходного фотоотклика в сигнатуры 1-го и 2-го порядков осуществляется естественная декомпозиция переходного фотоотклика на геометрически упорядоченные составляющие. Для системного анализа упорядоченности динамической структуры фотоотклика применены универсальные дифференциально-геометрические параметры и показатели, которые применимы и для других характеристик полупроводниковых сенсорных материалов.
Поступила в редакцию: 25.09.2014
Принята в печать: 21.10.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 5, Pages 634–637
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615050152
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. П. Мигаль, А. В. Бут, А. С. Фомин, И. А. Клименко, “Геометризация динамической структуры переходного фотоотклика халькогенидов цинка”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 648–651; Semiconductors, 49:5 (2015), 634–637
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MigButFom15}
\by В.~П.~Мигаль, А.~В.~Бут, А.~С.~Фомин, И.~А.~Клименко
\paper Геометризация динамической структуры переходного фотоотклика халькогенидов цинка
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 648--651
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7290}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195173}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 634--637
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615050152}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7290
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i5/p648
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025