Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5, страницы 652–657 (Mi phts7291)  
Эта публикация цитируется в 26 научных статьях (всего в 26 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Фотолюминесценция массивов квантовых колец GaAs/AlGaAs

Ю. Д. Сибирмовскийa, И. С. Васильевскийa, А. Н. Виниченкоa, И. С. Ереминa, Д. М. Жигуновb, Н. И. Каргинa, О. С. Коленцоваa, П. А. Мартюкa, М. Н. Стрихановa

a Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия
b Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
PDF полного текста (723 kB) Список цитирования (26)
Аннотация: Методом капельной эпитаксии выращены образцы эпитаксиальных структур с квантовыми кольцами GaAs/AlGaAs различной морфологии. Измерены спектры фотолюминесценции образцов при температурах 20–90 и 300 K, обнаружены интенсивные пики в оптическом диапазоне, связанные с размерным квантованием энергии носителей в квантовых кольцах. Принадлежность пиков установлена оценочным расчетом энергии основного состояния электронов и дырок в квантовых кольцах GaAs, а также измерением спектров образцов после стравливания слоев с квантовыми кольцами. Средние размеры квантовых колец определены методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии. Сделаны выводы о факторах, влияющих на спектр и интенсивность излучения эпитаксиальных структур с квантовыми кольцами.
Поступила в редакцию: 16.10.2014
Принята в печать: 24.10.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 5, Pages 638–643
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261505022X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. Д. Сибирмовский, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, И. С. Еремин, Д. М. Жигунов, Н. И. Каргин, О. С. Коленцова, П. А. Мартюк, М. Н. Стриханов, “Фотолюминесценция массивов квантовых колец GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 652–657; Semiconductors, 49:5 (2015), 638–643
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SibVasVin15}
\by Ю.~Д.~Сибирмовский, И.~С.~Васильевский, А.~Н.~Виниченко, И.~С.~Еремин, Д.~М.~Жигунов, Н.~И.~Каргин, О.~С.~Коленцова, П.~А.~Мартюк, М.~Н.~Стриханов
\paper Фотолюминесценция массивов квантовых колец GaAs/AlGaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 652--657
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7291}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195174}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 638--643
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261505022X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7291
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i5/p652
    • Эта публикация цитируется в следующих 26 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025