Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5, страницы 658–662 (Mi phts7292)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оптические фононы в многослойных гетероструктурах PbTe/CdTe

Н. Н. Новиковаa, В. А. Яковлевa, И. В. Кучеренкоb, G. Karczewskic, Ю. А. Алещенкоbd, А. В. Муратовb, Т. Н. Заварицкаяb, Н. Н. Мельникb

a Институт спектроскопии Российской академии наук, 142190 Троицк, Москва, Россия
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
c Институт физики Польской академии наук, 02-668 Варшава, Польша
d Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
Аннотация: Измерены коэффициенты отражения наноструктур PbTe/CdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой элитаксии, в интервале частот 20–5000 см$^{-1}$ при комнатной температуре. Из дисперсионного анализа определены толщины слоев PbTe и CdTe, высокочастотные диэлектрические проницаемости слоев и частоты поперечных оптических (TO) фононов. Обнаружено, что во всех исследуемых образцах существуют две частоты TO фононов, равные 28 и 47 см$^{-1}$. Первая частота близка к частоте TO фонона объемного PbTe, вторую частоту мы связываем с оптической модой в структурно деформированном слое на интерфейсе. Измерены спектры комбинационного рассеяния света при возбуждении излучением Ar$^+$-лазера с длиной волны 514.5 нм при комнатной и азотной температурах. Обнаружена мода при частоте 106 см$^{-1}$, которую мы связываем с продольным оптическим (LO) фононом в слое на интерфейсе.
Поступила в редакцию: 20.10.2014
Принята в печать: 05.11.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 5, Pages 644–648
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615050176
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Н. Новикова, В. А. Яковлев, И. В. Кучеренко, G. Karczewski, Ю. А. Алещенко, А. В. Муратов, Т. Н. Заварицкая, Н. Н. Мельник, “Оптические фононы в многослойных гетероструктурах PbTe/CdTe”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 658–662; Semiconductors, 49:5 (2015), 644–648
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NovYakKuc15}
\by Н.~Н.~Новикова, В.~А.~Яковлев, И.~В.~Кучеренко, G.~Karczewski, Ю.~А.~Алещенко, А.~В.~Муратов, Т.~Н.~Заварицкая, Н.~Н.~Мельник
\paper Оптические фононы в многослойных гетероструктурах PbTe/CdTe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 658--662
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7292}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 644--648
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615050176}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7292
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i5/p658
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025