Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5, страницы 672–676 (Mi phts7294)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Исследование структуры пленочных трехмерно-упорядоченных макропористых нанокомпозитов GaN–ZnS : Mn

Д. А. Курдюков, И. И. Шишкин, С. А. Грудинкин, А. А. Ситникова, М. В. Заморянская, В. Г. Голубев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Изготовлен пленочный трехмерно-упорядоченный макропористый нанокомпозит GaN–ZnS : Mn со структурой инвертированного опала. Проведены структурные исследования нанокомпозита, и показано, что GaN и ZnS : Mn, введенные в поры кремнеземного опала, представляют собой разориентированные друг относительно друга нанокристаллиты. Показано, что синтезированный нанокомпозит является структурно-совершенным трехмерным фотонным кристаллом. Подтверждена эффективность применения буфера из нанокристаллитов GaN для предотвращения взаимодействия поверхности формирующих опаловую матрицу сферических частиц $a$-SiO$_2$ с введенными в поры химически активными веществами.
Поступила в редакцию: 23.10.2014
Принята в печать: 05.11.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 5, Pages 658–662
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615050115
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Курдюков, И. И. Шишкин, С. А. Грудинкин, А. А. Ситникова, М. В. Заморянская, В. Г. Голубев, “Исследование структуры пленочных трехмерно-упорядоченных макропористых нанокомпозитов GaN–ZnS : Mn”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 672–676; Semiconductors, 49:5 (2015), 658–662
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KurShiGru15}
\by Д.~А.~Курдюков, И.~И.~Шишкин, С.~А.~Грудинкин, А.~А.~Ситникова, М.~В.~Заморянская, В.~Г.~Голубев
\paper Исследование структуры пленочных трехмерно-упорядоченных макропористых нанокомпозитов GaN--ZnS : Mn
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 672--676
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7294}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195177}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 658--662
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615050115}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7294
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i5/p672
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025