|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5, страницы 672–676
(Mi phts7294)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Исследование структуры пленочных трехмерно-упорядоченных макропористых нанокомпозитов GaN–ZnS : Mn
Д. А. Курдюков, И. И. Шишкин, С. А. Грудинкин, А. А. Ситникова, М. В. Заморянская, В. Г. Голубев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Изготовлен пленочный трехмерно-упорядоченный макропористый нанокомпозит GaN–ZnS : Mn со структурой инвертированного опала. Проведены структурные исследования нанокомпозита, и показано, что GaN и ZnS : Mn, введенные в поры кремнеземного опала, представляют собой разориентированные друг относительно друга нанокристаллиты. Показано, что синтезированный нанокомпозит является структурно-совершенным трехмерным фотонным кристаллом. Подтверждена эффективность применения буфера из нанокристаллитов GaN для предотвращения взаимодействия поверхности формирующих опаловую матрицу сферических частиц $a$-SiO$_2$ с введенными в поры химически активными веществами.
Поступила в редакцию: 23.10.2014 Принята в печать: 05.11.2014
Образец цитирования:
Д. А. Курдюков, И. И. Шишкин, С. А. Грудинкин, А. А. Ситникова, М. В. Заморянская, В. Г. Голубев, “Исследование структуры пленочных трехмерно-упорядоченных макропористых нанокомпозитов GaN–ZnS : Mn”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 672–676; Semiconductors, 49:5 (2015), 658–662
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7294 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i5/p672
|
|