|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5, страницы 688–692
(Mi phts7297)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Тепловое сопротивление дисковых микролазеров сверхмалого диаметра
А. Е. Жуковabc, Н. В. Крыжановскаяac, М. В. Максимовacd, А. А. Липовскийac, А. В. Савельевabc, И. И. Шостакa, Э. И. Моисеевa, Ю. В. Кудашоваa, М. М. Кулагинаd, С. И. Трошковd a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский научный центр Российской академии наук,
199034 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Обнаружено, что тепловое сопротивление микролазеров AlGaAs/GaAs типа “подвешенный диск” диаметром 1.7–4 мкм с квантовыми точками InAs/InGaAs в активной области обратно пропорционально квадрату диаметра микродиска с коэффициентом пропорциональности 3.2 $\cdot$ 10$^{-3}$ K $\cdot$ см$^2$/Вт и составляет 120–20$^\circ$C/мВт.
Поступила в редакцию: 06.11.2014 Принята в печать: 12.11.2014
Образец цитирования:
А. Е. Жуков, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, А. А. Липовский, А. В. Савельев, И. И. Шостак, Э. И. Моисеев, Ю. В. Кудашова, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, “Тепловое сопротивление дисковых микролазеров сверхмалого диаметра”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 688–692; Semiconductors, 49:5 (2015), 674–678
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7297 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i5/p688
|
|