Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 5, страницы 715–718 (Mi phts7301)  
Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур

Р. В. Левинab, А. Е. Маричевac, М. З. Шварцa, Е. П. Марухинаa, В. П. Хвостиковa, Б. В. Пушныйab, М. Н. Мизеровb, В. М. Андреевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, 197376 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (306 kB) Список цитирования (14)
Аннотация: Представлены результаты разработки технологии МОС-гидридной газофазной эпитаксии и исследований электрофизических параметров фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения на основе гетероструктур в системе InP/InGaAsP для спектрального диапазона 0.95–1.2 мкм. Разработана технология МОС-гидридной газофазной эпитаксии получения и легирования твердых растворов InGaAsP вблизи области спинодального распада с шириной запрещенной зоны около 1.0 эВ и изготовлены фотоэлектрические преобразователи 1000-кратного концентрированного солнечного излучения.
Поступила в редакцию: 11.11.2014
Принята в печать: 17.11.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 5, Pages 700–703
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615050139
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. В. Левин, А. Е. Маричев, М. З. Шварц, Е. П. Марухина, В. П. Хвостиков, Б. В. Пушный, М. Н. Мизеров, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 715–718; Semiconductors, 49:5 (2015), 700–703
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LevMarShv15}
\by Р.~В.~Левин, А.~Е.~Маричев, М.~З.~Шварц, Е.~П.~Марухина, В.~П.~Хвостиков, Б.~В.~Пушный, М.~Н.~Мизеров, В.~М.~Андреев
\paper Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 715--718
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7301}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195184}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 5
\pages 700--703
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615050139}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7301
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i5/p715
    • Эта публикация цитируется в следующих 14 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025