Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6, страницы 721–727
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615060093
(Mi phts7302)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Конференция "Кремний-2014" , Иркутск, 7-12 июля
Электронные свойства полупроводников

Низкотемпературная проводимость кремния легированного сурьмой

А. К. Федотовa, И. А. Свитоa, В. В. Федотоваb, А. Г. Трафименкоc, А. Л. Данилюкc, С. Л. Прищепаc

a Белорусский государственный университет, 220030 Минск, Белоруссия
b Научно-практический центр Hациональной aкадемии наук Белорусии (НАНБ) по материаловедению, 220078 Минск, Белоруссия
c Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Белоруссия
Аннотация: Проведен детальный анализ экспериментальных температурных зависимостей удельного сопротивления легированного сурьмой кремния с концентрацией примеси 10$^{18}$ см$^{-3}$ в области 1.8 $<T<$ 25 K. Показано, что при охлаждении ниже температуры 4.5 K наблюдается переход от режима Мотта с переменной длиной прыжка к режиму прыжковой проводимости через ближайших соседей, а при $T<$ 2.5 K – возможный переход к механизму Шкловского–Эфроса. Предложена модель такого температурного кроссовера, основанная на упрощенном решении задачи протекания с использованием интерполяционного выражения для плотности состояний. Проведенные оценки показали удовлетворительное согласие модели с экспериментальными данными при использовании минимального числа подгоночных параметров.
Поступила в редакцию: 04.09.2014
Принята в печать: 22.10.2014
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. К. Федотов, И. А. Свито, В. В. Федотова, А. Г. Трафименко, А. Л. Данилюк, С. Л. Прищепа, “Низкотемпературная проводимость кремния легированного сурьмой”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 721–727; Semiconductors, 49:6 (2015), 705–711
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FedSviFed15}
\by А.~К.~Федотов, И.~А.~Свито, В.~В.~Федотова, А.~Г.~Трафименко, А.~Л.~Данилюк, С.~Л.~Прищепа
\paper Низкотемпературная проводимость кремния легированного сурьмой
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 721--727
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7302}
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615060093}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195185}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 705--711
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7302
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i6/p721
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025