Формирование межузельного углерода в облученном легированном медью кремнии

Влияние примеси меди на спектр дефектов, созданных облучением электронами с энергией 5 МэВ при комнатной температуре, изучается с помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней в кристаллах кремния $p$-типа проводимости с низкой концентрацией кислорода. Обнаружено, что межузельные атомы углерода (C$_i$), которые являются доминирующими дефектами в облученных образцах без меди, не выявляются сразу после облучения, если концентрация подвижной межузельной меди (Cu$_i$) превышает концентрацию введенных радиационных дефектов. Это явление связывается c формированием комплекса $\{$Cu$_i$, C$_i\}$, который не имеет уровней в нижней половине запрещенной зоны. Показано, что этот комплекс диссоциирует в процессе отжига при температурах 300–340 K, приводя к появлению межузельного углерода.