Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6, страницы 732–736 (Mi phts7304)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Конференция "Кремний-2014" , Иркутск, 7-12 июля
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние меди на рекомбинационную активность протяженных дефектов в кремнии

О. В. Феклисоваa, Е. Б. Якимовab

a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", 119049 Москва, Россия
PDF полного текста (280 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Методом наведенного электронным пучком тока исследовано влияние атомов меди, введенных посредством высокотемпературной диффузии, на рекомбинационные свойства дислокаций и следов за дислокациями в монокристаллическом кремнии $p$-типа. Показано, что после введения меди рекомбинационная активность следов за дислокациями существенно увеличивается в отличие от дислокаций. Обнаружено появление светлого контраста вблизи следов за дислокациями после диффузии меди и закалки образцов, интенсивность которого зависит от плотности дефектов в этих следах.
Поступила в редакцию: 20.10.2014
Принята в печать: 05.11.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 6, Pages 716–719
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261506010X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. В. Феклисова, Е. Б. Якимов, “Влияние меди на рекомбинационную активность протяженных дефектов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 732–736; Semiconductors, 49:6 (2015), 716–719
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FekYak15}
\by О.~В.~Феклисова, Е.~Б.~Якимов
\paper Влияние меди на рекомбинационную активность протяженных дефектов в кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 732--736
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7304}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195187}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 716--719
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261506010X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7304
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i6/p732
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025