|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6, страницы 737–740
(Mi phts7305)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Конференция "Кремний-2014" , Иркутск, 7-12 июля
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Исследование свойств протяженных дефектов в пластически деформированном кремнии методами EBIC и LBIC
В. И. Орловab, О. В. Феклисоваa, Е. Б. Якимовac a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b Институт физики твердого тела Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия
c Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", 119049 Москва, Россия
Аннотация:
Проведены сравнительные экспериментальные исследования одномерных и двумерных дефектов в пластически деформированном кремнии методами EBIC и LBIC. Показано, что контраст двумерных дефектов – следов за дислокациями – в методе LBIC может существенно превышать контраст в методе EBIC, что хорошо коррелирует с результатами расчетов. Основной причиной более высокой чувствительности метода LBIC является более глубокое проникновение оптического пучка в материал по сравнению с электронным пучком растрового электронного микроскопа.
Поступила в редакцию: 20.10.2014 Принята в печать: 05.11.2014
Образец цитирования:
В. И. Орлов, О. В. Феклисова, Е. Б. Якимов, “Исследование свойств протяженных дефектов в пластически деформированном кремнии методами EBIC и LBIC”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 737–740; Semiconductors, 49:6 (2015), 720–723
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7305 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i6/p737
|
|