Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6, страницы 737–740 (Mi phts7305)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Конференция "Кремний-2014" , Иркутск, 7-12 июля
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Исследование свойств протяженных дефектов в пластически деформированном кремнии методами EBIC и LBIC

В. И. Орловab, О. В. Феклисоваa, Е. Б. Якимовac

a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия
c Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", 119049 Москва, Россия
Аннотация: Проведены сравнительные экспериментальные исследования одномерных и двумерных дефектов в пластически деформированном кремнии методами EBIC и LBIC. Показано, что контраст двумерных дефектов – следов за дислокациями – в методе LBIC может существенно превышать контраст в методе EBIC, что хорошо коррелирует с результатами расчетов. Основной причиной более высокой чувствительности метода LBIC является более глубокое проникновение оптического пучка в материал по сравнению с электронным пучком растрового электронного микроскопа.
Поступила в редакцию: 20.10.2014
Принята в печать: 05.11.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 6, Pages 720–723
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615060172
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. И. Орлов, О. В. Феклисова, Е. Б. Якимов, “Исследование свойств протяженных дефектов в пластически деформированном кремнии методами EBIC и LBIC”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 737–740; Semiconductors, 49:6 (2015), 720–723
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OrlFekYak15}
\by В.~И.~Орлов, О.~В.~Феклисова, Е.~Б.~Якимов
\paper Исследование свойств протяженных дефектов в пластически деформированном кремнии методами EBIC и LBIC
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 737--740
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7305}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195188}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 720--723
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615060172}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7305
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i6/p737
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025