Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6, страницы 741–745 (Mi phts7306)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Конференция "Кремний-2014" , Иркутск, 7-12 июля
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Рекомбинационная активность границ раздела в мультикристаллическом кремнии

С. М. Пещероваa, Е. Б. Якимовb, А. И. Непомнящихa, Л. А. Павловаa, О. В. Феклисоваb

a Институт геохимии им. Виноградова СО РАН, 664033 Иркутск, Россия
b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
PDF полного текста (820 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: Методом наведенного тока, индуцированного электронным пучком, исследована электрическая активность границ зерен в мультикристаллическом кремнии, выращенном из металлургического кремния методом Бриджмена. Выявлены основные тенденции нетипичного проявления локальной электрической активности специальными границами $\Sigma3\{111\}$ и $\Sigma9\{110\}$. Методами дифракции обратно рассеянных электронов и электронно-зондового микроанализа определены структурные особенности границ зерен после селективного травления и характер распределения примесей в мультикристаллическом кремнии.
Поступила в редакцию: 27.10.2014
Принята в печать: 05.11.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 6, Pages 724–728
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615060196
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. М. Пещерова, Е. Б. Якимов, А. И. Непомнящих, Л. А. Павлова, О. В. Феклисова, “Рекомбинационная активность границ раздела в мультикристаллическом кремнии”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 741–745; Semiconductors, 49:6 (2015), 724–728
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PesYakNep15}
\by С.~М.~Пещерова, Е.~Б.~Якимов, А.~И.~Непомнящих, Л.~А.~Павлова, О.~В.~Феклисова
\paper Рекомбинационная активность границ раздела в мультикристаллическом кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 741--745
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7306}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195189}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 724--728
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615060196}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7306
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i6/p741
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025