Импульсная модификация пленок германия на подложках кремния, сапфира и кварца: структура и оптические свойства

Изучены структурные и оптические свойства тонких пленок Ge, осажденных на полупроводниковые и изолирующие подложки и модифицированных импульсным лазерным излучением. Осаждение пленок проводилось распылением Ge-мишени пучком низкоэнергетичных ионов Xe$^+$. Кристаллизация пленок осуществлялась наносекундными импульсами рубинового лазера ($\lambda$ = 0.694 мкм) с плотностью энергии $W$ = 0.2–1.4 Дж/см$^2$. В процессе импульсной лазерной обработки проводилось зондирование облучаемой зоны квазинепрерывным лазерным излучением ($\lambda$ = 0.532 и 1.064 мкм) с регистрацией отражательной способности $R(t)$. Проведено сравнение экспериментальных данных по времени жизни расплава Ge с расчетными, показавшее их хорошее соответствие. C использованием комплекса методов определена зависимость состава пленок, их кристалличности, уровня деформации, отражения и пропускания от режимов осаждения и отжига.