|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6, страницы 758–762
(Mi phts7309)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Конференция "Кремний-2014" , Иркутск, 7-12 июля
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Количественное описание свойств протяженных дефектов в кремнии с помощью тока, наведенного электронным и лазерным пучками
Я. Л. Шабельниковаa, Е. Б. Якимовa, Д. П. Николаевb, М. В. Чукалинаa a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b Институт проблем передачи информации им. А. А. Харкевича Российской академии наук, 127051 Москва, Россия
Аннотация:
Солнечный элемент на пластине мультикристаллического кремния, содержащего границы зерен, исследовался методом наведенного тока. Было проведено сканирование образца пучком электронов, а также лазерным пучком на двух длинах волн (980 и 635 нм). Зарегистрированные карты наведенного тока были совмещены с помощью специально разработанного кода, что позволило анализировать один и тот же участок границы зерна для трех типов измерений. В результате оптимизации невязки между модельными профилями наведенного тока и экспериментально измеренными были получены количественные оценки характеристик образца и дефекта в нем – диффузионной длины и скорости рекомбинации на границе зерна.
Поступила в редакцию: 27.11.2014 Принята в печать: 04.12.2014
Образец цитирования:
Я. Л. Шабельникова, Е. Б. Якимов, Д. П. Николаев, М. В. Чукалина, “Количественное описание свойств протяженных дефектов в кремнии с помощью тока, наведенного электронным и лазерным пучками”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 758–762; Semiconductors, 49:6 (2015), 741–745
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7309 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i6/p758
|
|