Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6, страницы 758–762 (Mi phts7309)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Конференция "Кремний-2014" , Иркутск, 7-12 июля
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Количественное описание свойств протяженных дефектов в кремнии с помощью тока, наведенного электронным и лазерным пучками

Я. Л. Шабельниковаa, Е. Б. Якимовa, Д. П. Николаевb, М. В. Чукалинаa

a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b Институт проблем передачи информации им. А. А. Харкевича Российской академии наук, 127051 Москва, Россия
Аннотация: Солнечный элемент на пластине мультикристаллического кремния, содержащего границы зерен, исследовался методом наведенного тока. Было проведено сканирование образца пучком электронов, а также лазерным пучком на двух длинах волн (980 и 635 нм). Зарегистрированные карты наведенного тока были совмещены с помощью специально разработанного кода, что позволило анализировать один и тот же участок границы зерна для трех типов измерений. В результате оптимизации невязки между модельными профилями наведенного тока и экспериментально измеренными были получены количественные оценки характеристик образца и дефекта в нем – диффузионной длины и скорости рекомбинации на границе зерна.
Поступила в редакцию: 27.11.2014
Принята в печать: 04.12.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 6, Pages 741–745
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615060226
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Я. Л. Шабельникова, Е. Б. Якимов, Д. П. Николаев, М. В. Чукалина, “Количественное описание свойств протяженных дефектов в кремнии с помощью тока, наведенного электронным и лазерным пучками”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 758–762; Semiconductors, 49:6 (2015), 741–745
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShaYakNik15}
\by Я.~Л.~Шабельникова, Е.~Б.~Якимов, Д.~П.~Николаев, М.~В.~Чукалина
\paper Количественное описание свойств протяженных дефектов в кремнии с помощью тока, наведенного электронным и лазерным пучками
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 758--762
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7309}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195192}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 741--745
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615060226}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7309
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i6/p758
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025