|
|
Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 6, страницы 984–988
(Mi phts731)
|
|
|
|
Дальнодействующее ускорение комплексообразования железа
или хрома
с бором в кремнии при ионной имплантации аргона
П. В. Павлов, Е. С. Демидов, Г. В. Зорина
Аннотация:
С помощью техники ЭПР и измерений эффекта Холла
исследовано изменение свойств монокристаллического кремния с примесями
железа или хрома и различным содержанием мелких примесей бора или фосфора
в результате ионного облучения аргоном. Установлено, что имплантация аргона
приводит к ускорению процесса комплексооразования межузельных примесей железа
или хрома с бором или другими неконтролируемыми акцепторами далеко за слоем
торможения ионов аргона. Предполагается, что причиной ускорения
комплексообразования является увеличение диффузионной подвижности примесей
железа или хрома в результате взаимодействия упругих волн,
фононов, излучаемых из области торможения ионов аргона.
Образец цитирования:
П. В. Павлов, Е. С. Демидов, Г. В. Зорина, “Дальнодействующее ускорение комплексообразования железа
или хрома
с бором в кремнии при ионной имплантации аргона”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 984–988
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts731 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v21/i6/p984
|
| Статистика просмотров: |
| Страница аннотации: | 68 | | PDF полного текста: | 43 |
|