Исследование свойств полупроводниковых преобразователей на основе кремния для бета-вольтаических элементов

Проведено экспериментальное исследование кремниевых $p$–$i$–$n$-диодов в растровом микроскопе в условиях, имитирующих бета-излучение из радиоактивного источника Ni$^{63}$ с активностью 10 мКи/см$^2$, оценены достижимые параметры бета-вольтаических элементов с таким источником и преобразователем энергии бета-частиц в электрический ток на основе кремния. Показано, что мощность таких элементов может достигать значений $\sim$10 нВт/см$^2$ даже при сантиметровой площади элемента, что достаточно близко к расчетному значению.