Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6, страницы 767–771 (Mi phts7311)  
Эта публикация цитируется в 25 научных статьях (всего в 25 статьях)

Конференция "Кремний-2014" , Иркутск, 7-12 июля
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Линейные цепочки квантовых точек Ge/Si при росте на структурированной поверхности, сформированной ионным облучением

Ж. В. Смагинаa, А. В. Двуреченскийab, В. А. Селезневa, П. А. Кучинскаяa, В. А. Армбристерa, В. А. Зиновьевa, Н. П. Степинаa, А. Ф. Зиновьеваa, А. В. Ненашевab, А. К. Гутаковскийab

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
PDF полного текста (539 kB) Список цитирования (25)
Аннотация: Исследовался рост нанокластеров Ge на структурированной поверхности Si(100), сформированной сочетанием наноимпринт-литографии и последующего облучения ионами Ge$^+$. Структурированная поверхность представляла собой систему параллельных канавок шириной 100 нм, повторяющихся с периодом 180 нм. Облучение подложки проводилось при двух температурах: комнатной (холодное облучение) и 400$^\circ$C (горячее облучение). Показано, что в процессе эпитаксии (550–700$^\circ$C) остаточные радиационные дефекты под канавками подавляют зарождение нанокластеров Ge в канавках. На структурированных подложках с полностью удаленными дефектными областями нанокластеры растут в канавках.
Поступила в редакцию: 06.11.2014
Принята в печать: 20.11.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 6, Pages 749–752
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615060238
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ж. В. Смагина, А. В. Двуреченский, В. А. Селезнев, П. А. Кучинская, В. А. Армбристер, В. А. Зиновьев, Н. П. Степина, А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, А. К. Гутаковский, “Линейные цепочки квантовых точек Ge/Si при росте на структурированной поверхности, сформированной ионным облучением”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 767–771; Semiconductors, 49:6 (2015), 749–752
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SmaDvuSel15}
\by Ж.~В.~Смагина, А.~В.~Двуреченский, В.~А.~Селезнев, П.~А.~Кучинская, В.~А.~Армбристер, В.~А.~Зиновьев, Н.~П.~Степина, А.~Ф.~Зиновьева, А.~В.~Ненашев, А.~К.~Гутаковский
\paper Линейные цепочки квантовых точек Ge/Si при росте на структурированной поверхности, сформированной ионным облучением
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 767--771
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7311}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195194}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 749--752
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615060238}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7311
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i6/p767
    • Эта публикация цитируется в следующих 25 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025