Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6, страницы 772–778 (Mi phts7312)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Конференция "Кремний-2014" , Иркутск, 7-12 июля
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Поверхности Si(hhm): полигон для создания наноструктур

С. И. Божко, А. М. Ионов, А. Н. Чайка

Институт физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия
PDF полного текста (1441 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Обсуждается возможность создания упорядоченных низкоразмерных структур на базе атомно-чистых и декорированных атомами металлов ступенчатых поверхностей кремния Si(557)и Si(556). Проведены исследования условий формирования и особенностей атомной структуры регулярных систем ступеней на чистых поверхностях Si(557)7 $\times$ 7 и Si(556)7 $\times$ 7. Атомная структура ступенчатых поверхностей Si(hhm), Ag/Si(557), Gd/Si(557) исследована с помощью сканирующей туннельной микроскопии высокого разрешения и дифракции медленных электронов. Показана возможность создания 1D- и 2D-структур атомов гадолиния и серебра на поверхности Si(557).
Поступила в редакцию: 02.12.2014
Принята в печать: 14.12.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 6, Pages 753–759
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261506007X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. И. Божко, А. М. Ионов, А. Н. Чайка, “Поверхности Si(hhm): полигон для создания наноструктур”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 772–778; Semiconductors, 49:6 (2015), 753–759
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BozIonCha15}
\by С.~И.~Божко, А.~М.~Ионов, А.~Н.~Чайка
\paper Поверхности Si(hhm): полигон для создания наноструктур
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 772--778
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7312}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195195}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 753--759
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261506007X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7312
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i6/p772
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025