Эффект Шубникова–де Гааза и термоэлектрические свойства Sb$_2$Te$_3$ и Bi$_2$Se$_3$, легированных таллием

Исследовано влияние легирования Tl на эффект Шубникова–де Гааза при $T$ = 4.2 K в магнитных полях до 38 Tл в монокристаллах $p$-Sb$_{2-x}$Tl$_x$Te$_3$ ($x$ = 0, 0.005, 0.015, 0.05) и $n$-Bi$_{2-x}$Tl$_x$Se$_3$ ($x$ = 0, 0.01, 0.02, 0.04, 0.06). Экстремальные сечения поверхности Ферми в обоих материалах уменьшаются при легировании Tl: концентрация дырок уменьшается в Sb$_{2-x}$Tl$_x$Te$_3$ из-за донорного эффекта Tl и концентрация электронов в $n$-Bi$_{2-x}$Tl$_x$Se$_3$ из-за акцепторного эффекта Tl. Измерены температурные зависимости коэффициента Зеебека, электрической проводимости, теплопроводности и безразмерной термоэлектрической эффективности в температурном диапазоне 77 – 300 K. Величины теплопроводности и электрической проводимости уменьшаются при легировании Tl как в Sb$_{2-x}$Tl$_x$Te$_3$, так и в $n$-Bi$_{2-x}$Tl$_x$Se$_3$. Коэффициент Зеебека увеличивается при легировании во всех составах при увеличении легирования во всем измеренном температурном интервале. Термоэлектрическая эффективность растет при легировании таллием.