Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6, страницы 804–809 (Mi phts7318)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Диагностика эффективности возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов квантовыми точками с помощью поляризационных измерений выходного излучения

В. А. Кукушкинab, Н. В. Байдусьbc, А. В. Здоровейщевc

a Институт прикладной физики РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
Аннотация: Разработан метод диагностики эффективности возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов на границе металл–полупроводник активными квантовыми точками с помощью поляризационных измерений выходящего излучения. Он заключается в экспериментальном нахождении отношения интенсивности этого излучения с ортогональной к плоскости наногетероструктуры поляризацией к аналогичной величине с лежащей в этой плоскости поляризацией при двух различных расстояниях от слоя квантовых точек до границы металл–полупроводник. По результатам этих измерений определяются все неизвестные параметры в построенной в данной работе математической модели, позволяющей вычислить скорость возбуждения активными квантовыми точками поверхностных плазмон-поляритонов. В результате эта скорость может быть найдена без использования дорогостоящего и громоздкого оборудования для измерения малых времен.
Поступила в редакцию: 30.06.2014
Принята в печать: 14.11.2014
Английская версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 6, Pages 785–790
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615060123
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Кукушкин, Н. В. Байдусь, А. В. Здоровейщев, “Диагностика эффективности возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов квантовыми точками с помощью поляризационных измерений выходного излучения”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 804–809; Semiconductors, 49:6 (2015), 785–790
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KukBaiZdo15}
\by В.~А.~Кукушкин, Н.~В.~Байдусь, А.~В.~Здоровейщев
\paper Диагностика эффективности возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов квантовыми точками с помощью поляризационных измерений выходного излучения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 804--809
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7318}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195201}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 785--790
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615060123}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7318
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i6/p804
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:30
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026