Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6, страницы 817–826 (Mi phts7320)  

Эта публикация цитируется в 21 научных статьях (всего в 21 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Локализованные в наноструктурах дырки во внешнем магнитном поле: $g$-фактор и смешивание состояний

М.А. Семина, Р. А. Сурис

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Теоретически исследованы энергетический спектр и волновые функции дырок в валентной зоне в полупроводниковых наносистемах – квантовых ямах, проволоках и точках – в присутствии внешнего магнитного поля. Прослежена зависимость зеемановского расщепления основного состояния дырки при изменении параметров размерного квантования с учетом сложной структуры валентной зоны и магнитоиндуцированного смешивания дырочных состояний. Приведены аналитические формулы, описывающие эффект Зеемана в валентной зоне в предельных случаях квантового диска, сферически-симметричной квантовой точки и квантовой проволоки. Показано, что величина $g$-фактора дырки крайне чувствительна к составу дырочного состояния (тяжелая или легкая дырка), а следовательно, к геометрии потенциала размерного квантования.
Поступила в редакцию: 09.12.2014
Принята в печать: 19.12.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 6, Pages 797–806
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615060214
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М.А. Семина, Р. А. Сурис, “Локализованные в наноструктурах дырки во внешнем магнитном поле: $g$-фактор и смешивание состояний”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 817–826; Semiconductors, 49:6 (2015), 797–806
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SemSur15}
\by М.А.~Семина, Р.~А.~Сурис
\paper Локализованные в наноструктурах дырки во внешнем магнитном поле: $g$-фактор и смешивание состояний
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 817--826
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7320}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195203}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 797--806
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615060214}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7320
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i6/p817
  • Эта публикация цитируется в следующих 21 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025