Экситоны Ваннье–Мотта в полупроводниках со сверхрешеткой

Представлен анализ влияния движения экситона Ваннье–Мотта в полупроводниках со сверхрешеткой, образованной гетеропереходами, на энергию его связи и волновую функцию. Такая зависимость возникает вследствие того, что законы дисперсии электрона и дырки, образующих экситон в СР, отличаются от квадратичного. Рассмотрена одномерная сверхрешетка, состоящая из чередующихся слоев полупроводников с различающимися энергетическими положениями зон проводимости и валентных зон, т. е. с одномерными ямами и барьерами. Затем дан анализ экситонного состояния в сверхрешетке, состоящей из квантовых точек. Показано, что зависимость энергии связи от квазиимульса экситона тем сильнее, чем ближе друг к другу эффективные массы электронов и дырки. Рассмотрена возможность смены при определенных значениях квазиволновых векторов экситона механизма передачи возбуждения между ячейками сверхрешетки от туннельного к диполь-дипольному.