|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6, страницы 839–842
(Mi phts7323)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Тензочувствительность $p$–$n$-перехода при освещении
Г. Гулямовa, А. Г. Гулямовab a Наманганский инженерно-педагогический институт,
160103 Наманган, Узбекистан
b Физико-технический институт Академии наук Республики Узбекистан, 100084 Ташкент, Узбекистан
Аннотация:
Рассмотрено влияние света на тензочувствительность $p$–$n$-перехода. Показано, что тензочувствительностью освещенного $p$–$n$-перехода можно управлять постоянной деформацией $\varepsilon_0$, частотой света $\omega$ и ее интенсивностью $I_0$. Установлено, что вблизи критических точек под действием деформации коэффициент поглощения может сильно измениться и вследствие этого коэффициент тензочувствительности $p$–$n$-перехода может принимать аномально большие значения.
Поступила в редакцию: 29.05.2014 Принята в печать: 04.09.2014
Образец цитирования:
Г. Гулямов, А. Г. Гулямов, “Тензочувствительность $p$–$n$-перехода при освещении”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 839–842; Semiconductors, 49:6 (2015), 819–822
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7323 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i6/p839
|
|