Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 6, страницы 843–846 (Mi phts7324)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

High-efficiency plasma treatment for surface modification of LPCVD ZnO

D. Andronikovab, A. Abramovab, E. Terukovabc, A. Vinogradovb, A. Ankudinovb, V. Afanasjevc

a R&D Center of Thin Film Technologies in Energetics under Ioffe Institute LLC, 194064 St. Petersburg, Russia
b Ioffe Institute, St. Petersburg
c Saint Petersburg Electrotechnical University "LETI", 197376 St. Petersburg, Russia
Аннотация: Plasma treatment of LPCVD Boron-doped ZnO aimed at surface modification of the films has been performed. We have shown that five minutes treatment with RF magnetron Ar plasma can be sufficient to transform surface morpholohy from as-deposited V-type to U-type, which better suits the growth and enhances the properties of post-deposited microcrystalline silicon as a material for PV modules. Effect of plasma treatment on optical and electrical properties and surface morpholohy has been studied. Comparative analysis of the acquired results has shown that short time treatment can provide required changes in curface morpholohy without significant deterioration of structure and electrical and optical properties of treated films, while long time treatment results in reduction of electronic properties most probably caused by excess defect formation at the surface of ZnO films. These results show that, despite promising outlooks, RF magnetron plasma treatment of ZnO for the production of PV modules requires careful optimization.
Поступила в редакцию: 11.09.2014
Принята в печать: 23.09.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 6, Pages 823–826
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615060032
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: D. Andronikov, A. Abramov, E. Terukov, A. Vinogradov, A. Ankudinov, V. Afanasjev, “High-efficiency plasma treatment for surface modification of LPCVD ZnO”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 843–846; Semiconductors, 49:6 (2015), 823–826
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AndAbrTer15}
\by D.~Andronikov, A.~Abramov, E.~Terukov, A.~Vinogradov, A.~Ankudinov, V.~Afanasjev
\paper High-efficiency plasma treatment for surface modification of LPCVD ZnO
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 843--846
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7324}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195207}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 6
\pages 823--826
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615060032}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7324
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i6/p843
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025