Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 7, страницы 887–898 (Mi phts7328)  

Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

Обзоры

Нанокластеры кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, $a$-SiO$_x$ : H (0 $<x<$ 2). Обзор

Ю. К. Ундалов, Е. И. Теруков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: В работе проведен обзор литературы, касающейся плазменных способов получения и исследований нанокластеров кремния (ncl-Si) в кристаллической ($c$-SiO$_2$) и в аморфной ($a$-SiO$_x$ : H) матрицах. Рассмотрено влияние модуляции разрядов, высокочастотного (RF) или на постоянном токе (DC), на кинетику роста ncl-Si. Анализ результатов изучения состава плазмы проведен на основе исследований методами инфракрасной спектроскопии, масс-спектрометрии и сканирования лазерным лучом. Описано поведение наночастиц в зависимости от их заряда и размеров в плазме под действием электрических, магнитных, гравитационных сил, а также под влиянием газодинамики входящих в плазму газов. Проанализированы данные изучения матрицы (пленок $a$-SiO$_x$ : H) с помощью инфракрасной спектроскопии. Также описаны фотолюминесцентные свойства ncl-Si, получаемых различными способами.
Поступила в редакцию: 13.10.2014
Принята в печать: 18.11.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 7, Pages 867–878
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615070222
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. К. Ундалов, Е. И. Теруков, “Нанокластеры кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, $a$-SiO$_x$ : H (0 $<x<$ 2). Обзор”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 887–898; Semiconductors, 49:7 (2015), 867–878
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UndTer15}
\by Ю.~К.~Ундалов, Е.~И.~Теруков
\paper Нанокластеры кремния, ncl-Si, в матрице гидрированного аморфного субокисла кремния, $a$-SiO$_x$ : H (0 $<x<$ 2). Обзор
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 7
\pages 887--898
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7328}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195211}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 7
\pages 867--878
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615070222}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7328
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i7/p887
  • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025