Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 7, страницы 899–903 (Mi phts7329)  
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Магнитная структура в халькогенидах TlFeS$_2$ и TlFeSe$_2$

Э. Б. Аскеровab, N. T. Dangc, А. И. Бескровныйa, А. И. Мададзадаad, Д. И. Исмаиловd, Р. Н. Мехдиеваb, S. H. Jabarovde, Э. М. Керимоваd

a Объединенный институт ядерных исследований, 141980 Дубна, Россия
b Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан
c Institute of Research and Development, Duy Tan University, 550000 Da Nang, Viet Nam
d Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, АZ-1143 Баку, Азербайджан
e Bayerisches Geoinstitut, Universitet Bayreuth, D-95440 Bayreuth, Germany
PDF полного текста (693 kB) Список цитирования (15)
Аннотация: Кристаллическая и магнитная структура TlFeS$_2$ и TlFeSe$_2$ исследованы методом нейтронной дифракции в температурном диапазоне 10–300 K. Данные соединения обладают моноклинной кристаллической симметрией с пространственной группой $C2/m$. Возникновение антиферромагнитного упорядочения происходит при температуре Нееля $T_\mathrm{N}$ = 210(5) и 295(5) K для TlFeS$_2$ и TlFeSe$_2$ соответственно. Получены температурные зависимости магнитных моментов, длин связей Fe–Fe и объема элементарной ячейки. Рассчитаны коэффициенты температурного расширения для парамагнитной и антиферромагнитной фаз.
Поступила в редакцию: 19.08.2014
Принята в печать: 23.09.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 7, Pages 879–882
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615070039
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Э. Б. Аскеров, N. T. Dang, А. И. Бескровный, А. И. Мададзада, Д. И. Исмаилов, Р. Н. Мехдиева, S. H. Jabarov, Э. М. Керимова, “Магнитная структура в халькогенидах TlFeS$_2$ и TlFeSe$_2$”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 899–903; Semiconductors, 49:7 (2015), 879–882
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AskDanBes15}
\by Э.~Б.~Аскеров, N.~T.~Dang, А.~И.~Бескровный, А.~И.~Мададзада, Д.~И.~Исмаилов, Р.~Н.~Мехдиева, S.~H.~Jabarov, Э.~М.~Керимова
\paper Магнитная структура в халькогенидах TlFeS$_2$ и TlFeSe$_2$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 7
\pages 899--903
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7329}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195212}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 7
\pages 879--882
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615070039}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7329
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i7/p899
    • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025