Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 7, страницы 904–905 (Mi phts7330)  
Электронные свойства полупроводников

Термоэдс $n$-InSb в поперечном квантующем магнитном поле

М. М. Гаджиалиевa, Р. Р. Башировa, З. Ш. Пирмагомедовa, Т. Н. Эфендиеваa, Х. Медгеb, К. Филарb

a Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, 367003 Махачкала, Россия
b Международная лаборатория сильных магнитных полей и низких температур (ILHMFLT), Вроцлав, Польша
PDF полного текста (162 kB)
Аннотация: Исследована термоэдс электронного антимонида индия при 80 K в поперечном магнитном поле до 14 Tл. Установлено, что в квантующем магнитном поле экспериментальные результаты согласуются с теоретическими данными, полученными без учета спинового расщепления уровней Ландау.
Поступила в редакцию: 18.09.2014
Принята в печать: 18.11.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 7, Pages 883–884
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615070076
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. М. Гаджиалиев, Р. Р. Баширов, З. Ш. Пирмагомедов, Т. Н. Эфендиева, Х. Медге, К. Филар, “Термоэдс $n$-InSb в поперечном квантующем магнитном поле”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 904–905; Semiconductors, 49:7 (2015), 883–884
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GadBasPir15}
\by М.~М.~Гаджиалиев, Р.~Р.~Баширов, З.~Ш.~Пирмагомедов, Т.~Н.~Эфендиева, Х.~Медге, К.~Филар
\paper Термоэдс $n$-InSb в поперечном квантующем магнитном поле
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 7
\pages 904--905
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7330}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195213}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 7
\pages 883--884
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615070076}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7330
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i7/p904
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025