Поведение примеси железа в кристаллах Hg$_3$In$_2$Te$_6$

На основе результатов оптических и фотоэлектрических измерений установлено, что легирование железом приводит к образованию в кристаллах Hg$_3$In$_2$Te$_6$ глубокого уровня $E_c$ – 0.69 эВ. При поглощении света примесными центрами Fe$^{2+}$ наблюдаются как электронные переходы примесной уровень-зона проводимости, так и оптические переходы между основным и возбужденным состояниями названного центра (внутрицентровые переходы). Исследования явлений переноса показали, что примесные центры Fe$^{2+}$ проявляют акцепторные свойства.