|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 7, страницы 925–931
(Mi phts7335)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Нитридизация нереконструированной и реконструированной $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ поверхности (0001) сапфира в потоке аммиака
Д. С. Милахинa, Т. В. Малинa, В. Г. Мансуровa, Ю. Г. Галицинa, К. С. Журавлевab a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет,
630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Работа посвящена изучению методом дифракции быстрых электронов на отражение процесса нитридизации нереконструированной и реконструированной $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ поверхностей (0001) сапфира в потоке аммиака. Результаты эксперимента показали, что на нереконструированной поверхности (1 $\times$ 1) происходит нитридизация сапфира, приводящая к образованию фазы AlN на поверхности подложки. Однако, если перед процессом нитридизации сапфира проводить высокотемпературный отжиг (1150$^\circ$С), приводящий к перестройке поверхности сапфира с образованием реконструкции $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$, то кристаллическая фаза AlN на поверхности сапфира в процессе экспонирования поверхности в потоке аммиака не образуется.
Поступила в редакцию: 12.11.2014 Принята в печать: 25.11.2014
Образец цитирования:
Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицин, К. С. Журавлев, “Нитридизация нереконструированной и реконструированной $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ поверхности (0001) сапфира в потоке аммиака”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 925–931; Semiconductors, 49:7 (2015), 905–910
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7335 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i7/p925
|
|