Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 7, страницы 925–931 (Mi phts7335)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Нитридизация нереконструированной и реконструированной $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ поверхности (0001) сапфира в потоке аммиака

Д. С. Милахинa, Т. В. Малинa, В. Г. Мансуровa, Ю. Г. Галицинa, К. С. Журавлевab

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация: Работа посвящена изучению методом дифракции быстрых электронов на отражение процесса нитридизации нереконструированной и реконструированной $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ поверхностей (0001) сапфира в потоке аммиака. Результаты эксперимента показали, что на нереконструированной поверхности (1 $\times$ 1) происходит нитридизация сапфира, приводящая к образованию фазы AlN на поверхности подложки. Однако, если перед процессом нитридизации сапфира проводить высокотемпературный отжиг (1150$^\circ$С), приводящий к перестройке поверхности сапфира с образованием реконструкции $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$, то кристаллическая фаза AlN на поверхности сапфира в процессе экспонирования поверхности в потоке аммиака не образуется.
Поступила в редакцию: 12.11.2014
Принята в печать: 25.11.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 7, Pages 905–910
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615070180
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицин, К. С. Журавлев, “Нитридизация нереконструированной и реконструированной $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ поверхности (0001) сапфира в потоке аммиака”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 925–931; Semiconductors, 49:7 (2015), 905–910
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MilMalMan15}
\by Д.~С.~Милахин, Т.~В.~Малин, В.~Г.~Мансуров, Ю.~Г.~Галицин, К.~С.~Журавлев
\paper Нитридизация нереконструированной и реконструированной $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ поверхности (0001) сапфира в потоке аммиака
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 7
\pages 925--931
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7335}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195219}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 7
\pages 905--910
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615070180}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7335
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i7/p925
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025