Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 7, страницы 932–935 (Mi phts7336)  
Эта публикация цитируется в 17 научных статьях (всего в 17 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с $\delta$-легированными слоями Si

Д. В. Лаврухинab, А. Э. Ячменевab, А. С. Бугаевab, Г. Б. Галиевa, Е. А. Климовa, Р. А. Хабибуллинab, Д. С. Пономаревab, П. П. Мальцевa

a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, 117105 Москва, Россия
b Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана, 105005 Москва, Россия
PDF полного текста (200 kB) Список цитирования (17) Английская версия
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии изготовлены структуры на основе “низкотемпературного” GaAs с введенными $\delta$-слоями кремния. После проведения отжига структур при температурах 520 и 580$^\circ$C с помощью спектроскопии фотолюминесценции обнаружены особенности в области энергий фотонов 1.28–1.48 эВ, которые связаны с образованием точечных дефектов и их комплексов. Методом “накачка–зондирование” в геометрии пропускания света определены характерные времена жизни неравновесных носителей тока в изготовленных структурах: $\tau_c\approx$ 1.2–1.5 пс.
Поступила в редакцию: 26.11.2014
Принята в печать: 15.12.2014
Английская версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 7, Pages 911–914
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615070179
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. В. Лаврухин, А. Э. Ячменев, А. С. Бугаев, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Р. А. Хабибуллин, Д. С. Пономарев, П. П. Мальцев, “Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с $\delta$-легированными слоями Si”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 932–935; Semiconductors, 49:7 (2015), 911–914
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LavYacBug15}
\by Д.~В.~Лаврухин, А.~Э.~Ячменев, А.~С.~Бугаев, Г.~Б.~Галиев, Е.~А.~Климов, Р.~А.~Хабибуллин, Д.~С.~Пономарев, П.~П.~Мальцев
\paper Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с $\delta$-легированными слоями Si
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 7
\pages 932--935
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7336}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195220}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 7
\pages 911--914
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615070179}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7336
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i7/p932
    • Эта публикация цитируется в следующих 17 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026