Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 7, страницы 936–941 (Mi phts7337)  

Эта публикация цитируется в 24 научных статьях (всего в 24 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Исследования наноразмерных пленок Al$_2$O$_3$, полученных на пористом кремнии методом ионно-плазменного распыления

П. В. Серединa, А. С. Леньшинa, Д. Л. Голощаповa, А. Н. Лукинa, И. Н. Арсентьевb, А. Д. Бондаревb, И. С. Тарасовb

a Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Цель работы – получение наноразмерных пленок Al$_2$O$_3$ на поверхности нанопористого кремния, а также фундаментальные исследования структурных, оптических и морфологических свойств этих материалов. Анализируя полученные нами результаты, можно утверждать, что с использованием метода ионно-плазменного распыления на слое пористого кремния могут быть получены ультратонкие наноструктурированные пленки Al$_2$O$_3$ в виде ориентированных в одном направлении нитей, расположенных на расстоянии 300–500 нм друг от друга. Такой механизм роста оксида алюминия обусловлен кристаллографической ориентацией исходной пластины монокристаллического кремния, используемой для создания пористого слоя.
Результаты оптической спектроскопии показывают, что гетерофазная структура Al$_2$O$_3$/por-Si/Si(111) отлично пропускает электромагнитное излучение в области 190–900 нм. Обнаруженный максимум в дисперсии показателя преломления пленки Al$_2$O$_3$, выращенной на por-Si, совпадает со значением края оптического поглощения оксида алюминия и расположен в области $\sim$ 5.60 эВ. Этот факт подтверждается результатами расчетов из спектра оптического поглощения гетерофазной структуры Al$_2$O$_3$/por-Si/Si(111).
Сформированные на поверхности гетерофазной структуры в виде наноразмерных структурированных нитей пленки Al$_2$O$_3$ могут служить оптическими проводящими каналами и достаточно эффективно внедрены в стандартные технологии, что имеет огромное значение для микро- и оптоэлектроники.
Поступила в редакцию: 04.12.2014
Принята в печать: 15.12.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 7, Pages 915–920
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615070210
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. В. Середин, А. С. Леньшин, Д. Л. Голощапов, А. Н. Лукин, И. Н. Арсентьев, А. Д. Бондарев, И. С. Тарасов, “Исследования наноразмерных пленок Al$_2$O$_3$, полученных на пористом кремнии методом ионно-плазменного распыления”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 936–941; Semiconductors, 49:7 (2015), 915–920
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SerLenGol15}
\by П.~В.~Середин, А.~С.~Леньшин, Д.~Л.~Голощапов, А.~Н.~Лукин, И.~Н.~Арсентьев, А.~Д.~Бондарев, И.~С.~Тарасов
\paper Исследования наноразмерных пленок Al$_2$O$_3$, полученных на пористом кремнии методом ионно-плазменного распыления
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 7
\pages 936--941
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7337}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195221}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 7
\pages 915--920
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615070210}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7337
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i7/p936
  • Эта публикация цитируется в следующих 24 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025