|
|
Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 7, страницы 936–941
(Mi phts7337)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 24 научных статьях (всего в 24 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Исследования наноразмерных пленок Al$_2$O$_3$, полученных на пористом кремнии методом ионно-плазменного распыления
П. В. Серединa, А. С. Леньшинa, Д. Л. Голощаповa, А. Н. Лукинa, И. Н. Арсентьевb, А. Д. Бондаревb, И. С. Тарасовb a Воронежский государственный университет, 394006 Воронеж, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Цель работы – получение наноразмерных пленок Al$_2$O$_3$ на поверхности нанопористого кремния, а также фундаментальные исследования структурных, оптических и морфологических свойств этих материалов. Анализируя полученные нами результаты, можно утверждать, что с использованием метода ионно-плазменного распыления на слое пористого кремния могут быть получены ультратонкие наноструктурированные пленки Al$_2$O$_3$ в виде ориентированных в одном направлении нитей, расположенных на расстоянии 300–500 нм друг от друга. Такой механизм роста оксида алюминия обусловлен кристаллографической ориентацией исходной пластины монокристаллического кремния, используемой для создания пористого слоя.
Результаты оптической спектроскопии показывают, что гетерофазная структура Al$_2$O$_3$/por-Si/Si(111) отлично пропускает электромагнитное излучение в области 190–900 нм. Обнаруженный максимум в дисперсии показателя преломления пленки Al$_2$O$_3$, выращенной на por-Si, совпадает со значением края оптического поглощения оксида алюминия и расположен в области $\sim$ 5.60 эВ. Этот факт подтверждается результатами расчетов из спектра оптического поглощения гетерофазной структуры Al$_2$O$_3$/por-Si/Si(111).
Сформированные на поверхности гетерофазной структуры в виде наноразмерных структурированных нитей пленки Al$_2$O$_3$ могут служить оптическими проводящими каналами и достаточно эффективно внедрены в стандартные технологии, что имеет огромное значение для микро- и оптоэлектроники.
Поступила в редакцию: 04.12.2014 Принята в печать: 15.12.2014
Образец цитирования:
П. В. Середин, А. С. Леньшин, Д. Л. Голощапов, А. Н. Лукин, И. Н. Арсентьев, А. Д. Бондарев, И. С. Тарасов, “Исследования наноразмерных пленок Al$_2$O$_3$, полученных на пористом кремнии методом ионно-плазменного распыления”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 936–941; Semiconductors, 49:7 (2015), 915–920
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7337 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i7/p936
|
|