Влияние конструкции буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в метаморфных структурах In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As/In$_{0.76}$Ga$_{0.24}$As/In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As на подложках GaAs

Исследовано влияние конструкции буфера и разориентации подложки на электрофизические свойства квантовых ям In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As/In$_{0.76}$Ga$_{0.24}$As/In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As на подложке GaAs. Измерены температурные (в интервале температур 4.2 $<T<$ 300 K) и полевые (в магнитных полях до 6 Тл) зависимости сопротивлений образцов. Выявлено наличие анизотропии сопротивлений в разных кристаллографических направлениях в зависимости от ориентации подложки и конструкции метаморфного буферного слоя. Кроме этого исследован эффект Холла и эффект Шубникова–де Гааза. Из эффекта Шубникова–де Гааза были определены электронные подвижности раздельно в нескольких заполненных подзонах размерного квантования в разных кристаллографических направлениях. Расчетная анизотропия подвижностей соответствует экспериментальным данным анизотропии сопротивлений.