Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 7, страницы 951–955 (Mi phts7339)  
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Сопротивление 4H-SiC барьеров Шоттки при высоких плотностях прямого тока

П. А. Иванов, Т. П. Самсонова, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, О. И. Коньков, А. С. Потапов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (159 kB)
Аннотация: Экспериментально определено сопротивление шоттки-контактов на основе 4H-SiC при высоких плотностях прямого тока. Измеренное сопротивление существенно больше сопротивления, которое предсказывается классическими механизмами транспорта электронов через шоттки-контакт. Выдвигается и частично обосновывается предположение о решающем вкладе туннельно-прозрачного промежуточного окисного слоя между металлом и полупроводником в сопротивление барьерного контакта.
Поступила в редакцию: 17.12.2014
Принята в печать: 25.12.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 7, Pages 930–934
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615070106
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. А. Иванов, Т. П. Самсонова, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, О. И. Коньков, А. С. Потапов, “Сопротивление 4H-SiC барьеров Шоттки при высоких плотностях прямого тока”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 951–955; Semiconductors, 49:7 (2015), 930–934
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IvaSamIli15}
\by П.~А.~Иванов, Т.~П.~Самсонова, Н.~Д.~Ильинская, О.~Ю.~Серебренникова, О.~И.~Коньков, А.~С.~Потапов
\paper Сопротивление 4\emph{H}-SiC барьеров Шоттки при высоких плотностях прямого тока
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 7
\pages 951--955
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7339}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195223}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 7
\pages 930--934
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615070106}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7339
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i7/p951
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025