Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 7, страницы 956–960 (Mi phts7340)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Оптимизация асимметричных барьерных слоев в лазерных гетероструктурах InAlGaAs/AlGaAs на подложках GaAs

А. Е. Жуковab, Л. В. Асрянc, Е. С. Семеноваd, Ф. И. Зубовab, Н. В. Крыжановскаяa, М. В. Максимовabe

a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
c Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia 24061, USA
d DTU Fotonik, Technical University of Denmark, Kgs. Lyngby, DK-2800, Denmark
e Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (172 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Выполнены расчеты разрывов зон на гетерогранице для различных комбинаций гетеропар InAlGaAs/AlGaAs, которые могут быть синтезированы на подложках GaAs в режиме послойного псевдоморфного роста. Найдены закономерности, позволяющие реализовать асимметричный барьерный слой, обеспечивающий почти свободное прохождение дырок и наибольшую возможную высоту барьера для электронов. С учетом критической толщины индийсодержащего четверного твердого раствора определены оптимальные составы обоих соединений (In$_{0.232}$Al$_{0.594}$Ga$_{0.174}$As/Al$_{0.355}$Ga$_{0.645}$As), при которых поток электронов через барьер минимален.
Поступила в редакцию: 29.12.2014
Принята в печать: 30.12.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 7, Pages 935–938
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615070258
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Е. Жуков, Л. В. Асрян, Е. С. Семенова, Ф. И. Зубов, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, “Оптимизация асимметричных барьерных слоев в лазерных гетероструктурах InAlGaAs/AlGaAs на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 956–960; Semiconductors, 49:7 (2015), 935–938
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuAsrSem15}
\by А.~Е.~Жуков, Л.~В.~Асрян, Е.~С.~Семенова, Ф.~И.~Зубов, Н.~В.~Крыжановская, М.~В.~Максимов
\paper Оптимизация асимметричных барьерных слоев в лазерных гетероструктурах InAlGaAs/AlGaAs на подложках GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 7
\pages 956--960
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7340}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195225}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 7
\pages 935--938
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615070258}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7340
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i7/p956
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025