Оптические и электрофизические свойства кремниевых нанопилларов

Исследуются электрические и оптические свойства кремниевых нанопилларов (Si НП). Для создания упорядоченных массивов Si НП используются электронно-лучевая литография и реактивное ионное травление. Формируются Si НП диаметром от 60 до 340 нм и высотой от 218 до 685 нм. Si НП покрывались слоем TiON$_x$ толщиной 8 нм для химической и электрической пассивации поверхности. Сканирующая электронная микроскопия и атомно-силовая микроскопия используются для того, чтобы охарактеризовать полученные структуры. Массивы Si НП при освещении по методу “светлого поля” приобретают различные цвета. Получены спектры отражения от массивов Si НП для диапазона длин волн 500–1150 нм.