Дисперсия показателя преломления халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_5$, легированного самарием

Исследованием спектра пропускания халькогенидного стеклообразного полупроводника состава Se$_{95}$Te$_5$, легированного самарием (0.05, 0.1, 0.25, 0.5, 1 at.%), применением метода Cванепоела (Swanepoel) и одноосцилляторной модели определены энергия осциллятора $E_0$, дисперсионная энергия $E_d$, оптическая ширина запрещенной зоны $E_g$, а также линейный $(n)$ и нелинейный $(n_2)$ показатели преломления. Изменения в значениях указанных параметров в результате легирования связаны с модификацией локальной структуры и изменением концентрации состояний дефектов.