Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 7, страницы 975–980 (Mi phts7344)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Исследование влияния длины пассивирующего квантовые точки лиганда на электрооптические характеристики органических светодиодов

Н. С. Курочкинab, А. А. Ващенкоab, А. Г. Витухновскийabc, П. Н. Тананаевd

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия
b Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия
c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", 115409 Москва, Россия
d Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н. Л. Духова, 101000 Москва, Россия
Аннотация: Исследованы электрооптические характеристики органических светодиодов с квантовыми точками в качестве светоизлучающего элемента, пассивированными органическими лигандами различной длины. Установлено, что толщина покрытия квантовых точек лигандами незначительно влияет на ферстеровский перенос энергии в светодиоде, но существенно влияет на прямую инжекцию носителей заряда в слой квантовых точек. Показано, что толщина пассивирующей оболочки квантовой точки в плотноупакованном слое наночастиц определяется как длиной пассивирующих лигандов, так и степенью покрытия ими квантовой точки.
Поступила в редакцию: 09.12.2014
Принята в печать: 15.12.2014
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2015, Volume 49, Issue 7, Pages 953–958
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782615070155
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. С. Курочкин, А. А. Ващенко, А. Г. Витухновский, П. Н. Тананаев, “Исследование влияния длины пассивирующего квантовые точки лиганда на электрооптические характеристики органических светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 975–980; Semiconductors, 49:7 (2015), 953–958
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KurVasVit15}
\by Н.~С.~Курочкин, А.~А.~Ващенко, А.~Г.~Витухновский, П.~Н.~Тананаев
\paper Исследование влияния длины пассивирующего квантовые точки лиганда на электрооптические характеристики органических светодиодов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2015
\vol 49
\issue 7
\pages 975--980
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7344}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=24195229}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2015
\vol 49
\issue 7
\pages 953--958
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782615070155}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7344
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v49/i7/p975
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025