Формирование тройных твердых растворов A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на пластинах GaAs и GaSb за счет твердофазных реакций замещения

Рассмотрены процессы образования сверхтонких слоев тройных твердых растворов A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ за счет подачи паров элементов пятой группы к полупроводниковым пластинам GaAs и GaSb, в приповерхностных областях которых происходят твердофазные реакции замещения. Данный способ позволяет формировать бездефектные слои GaAs$_{1-x}$P$_x$, GaAs$_x$Sb$_{1-x}$ и GaP$_x$Sb$_{1-x}$ толщинами 10–20 нм и с содержанием внедряемых компонентов $x$ до 0.04.