Лавинный режим переключения перенапряженных высоковольтных $p^+$–$i$–$n^+$-диодов в проводящее состояние при импульсном освещении

Построена простая аналитическая теория пикосекундного переключения высоковольтных перенапряженных $p^+$–$i$–$n^+$-фотодиодов в проводящее состояние при воздействии импульсного освещения. Получены и подтверждены путем численного моделирования соотношения между параметрами структуры, светового импульса, внешней цепи и основными характеристиками процесса – амплитудой импульса тока активной нагрузки, временем задержки и длительностью процесса коммутации. Показано, что необходимая для эффективной коммутации энергия пикосекундного импульса света может быть уменьшена на 6–7 порядков за счет интенсивного лавинного размножения электронов и дырок. Это открывает возможность использования в качестве управляющего элемента оптопары импульсных полупроводников лазеров.