Расчет оптимальной конфигурации двухслойной пленки ITO для использования в составе отражающих контактов светодиодов синего и ближнего ультрафиолетового диапазонов

В работе с использованием модели, основанной на применении метода матриц переноса, рассчитывалось отражение от многослойных покрытий, используемых в составе контактов в AlInGaN-светодиодах. Рассмотрены композиции ITO/SiO$_2$/Ag, в которых пленка ITO состояла из двух слоев с разными значениями показателя преломления. Толщины слоев материала ITO варьировались в заданном диапазоне. Рассчитывались угловые зависимости коэффициента отражения света обеих поляризаций, на основе которых была получена интегральная отражательная способность контакта. Проанализированы зависимости интегральной отражательной способности контакта и коэффициента отражения света при его падении по нормали к плоскости контакта от толщин слоев ITO. В результате предложена оптимизированная конфигурация отражающего контакта к области $p$-GaN светодиодных кристаллов на основе AlInGaN.