Оптоэлектронные пары светодиод-фотодиод на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования углекислого газа

Проведены экспериментальные исследования спектральных характеристик светодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP, излучающих в диапазоне длин волн от 3.5–4.5 мкм. Показано, что температурный сдвиг максимума длины волны излучения светодиода в интервале температур 80–313 K составляет 1.8 нм/K. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны активного слоя InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$ описывается формулой Варшни с характерными параметрами: $E_{g0}$ = 0.326 эВ, $\alpha$ = 2.917 $\cdot$ 10$^{-4}$ эВ/K, $\beta$ = 168.83 K. Результаты проведенных измерений концентраций углекислого газа с использованием исследуемых светодиодов показали возможность достоверного детектирования СО$_2$ в диапазоне концентраций 300–100 000 ppm.