Механизм генерирования структурных дефектов и особенности зонной структуры полупроводника HfNi$_{1-x}$Co$_x$Sn

Исследованы кристаллическая и электронная структуры, магнитные, энергетические и кинетические характеристики полупроводника $n$-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Co (HfNi$_{1-x}$Co$_x$Sn), в диапазонах температур $T$ = 80–400 K, концентрации кобальта $N^{\mathrm{Co}}_A\approx$ 9.5 $\cdot$ 10$^{19}$–5.7 $\cdot$ 10$^{21}$ см$^{-3}$ ($x$ = 0.005–0.30) и напряженности магнитного поля $H\le$ 10 кЭ. Установлен механизм изменения степени компенсации полупроводника как результат трансформации кристаллической структуры в процессе легирования, приводящий к генерированию структурных дефектов акцепторной и донорной природы. Результаты расчета электронной структуры согласуются с экспериментальными данными, а полупроводник HfNi$_{1-x}$Co$_x$Sn является перспективным термоэлектрическим материалом. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского–Эфроса.