Молекулярно-пучковая эпитаксия короткопериодных сверхрешеток ZnSSe/CdSe для применения в многопереходных солнечных элементах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$/A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$

Представлены результаты по выращиванию методом молекулярно-пучковой эпитаксии короткопериодных переменно-напряженных сверхрешеток (СР) ZnS$_x$Se$_{1-x}$/CdSe с эффективным значением ширины запрещенной зоны в диапазоне $E_g\approx$ 2.5–2.7 эВ, псевдоморфных подложкам GaAs (001). Регистрация осцилляций интенсивности отраженного пучка в дифракции быстрых отраженных электронов использовалась для in situ контроля параметров сверхрешеток. Разработан метод определения параметров сверхрешеток (составы и толщины отдельных слоев сверхрешеток) на основе совместного анализа выращенных структур методами низкотемпературной фотолюминесценции и рентгеновской дифрактометрии. Сверхрешетки ZnS$_x$Se$_{1-x}$/CdSe продемонстрировали параметры, близкие к расчетным значениям, и низкую плотность структурных дефектов при толщине $\sim$ 300 нм, существенно превышающей критическую для объемных слоев A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$, обладающих таким же рассогласованием постоянной решетки.