Смещение спектров электролюминесценции структур In$_x$Ga$_{1-x}$N/GaN с различным содержанием индия и различным материалом подложки, обусловленное эффектом Штарка и механическими напряжениями

В работе измерено смещение между максимумами спектров электролюминесценции структур In$_x$Ga$_{1-x}$N/GaN при прямом и обратном напряжении в зависимости от содержания индия $x$ в квантовой яме и от материала подложки – SiC, AuSn/Si, Al$_2$O$_3$. Установлено, что данное смещение увеличивается с ростом концентрации индия в слое In$_x$Ga$_{1-x}$N и механических напряжений от подложки.