Глубокие центры в структурах TiO$_2$-Si

Изучено влияние термического отжига и воздействия кислородной плазмы на электрические и фотоэлектрические характеристики структур металл-TiO$_2$-Si. Пленки TiO$_2$ получали магнетронным высокочастотным распылением мишени оксида титана на ненагретые подложки $n$-Si. Прямые и обратные токи структур после отжига в аргоне при 500$^\circ$C были меньше, чем после отжига при 750$^\circ$C. Обработка пленок диоксида титана в кислородной плазме приводила к снижению токов независимо от температуры отжига. Предполагается, что вольт-амперные характеристики структур TiO$_2$-Si могут быть описаны в рамках модели токов, ограниченных пространственным зарядом. Фотоэлектрические характеристики образцов исследовали, используя свет с длиной волны $\lambda$ = 400 нм. В структурах TiO$_2$-Si после отжига при 500$^\circ$C без экспозиции в кислородной плазме обнаружена замороженная фотопроводимость. Время релаксации составляет (23 $\pm$ 2) мин.